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采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管，并应用二极管结构测试表面态（突出尖端和吸附）对碳纳米管场发射的影响。测试表明，突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流稳定性；吸附作用的影响表现在改变碳纳米管能带结构进而改变其场发射性能。
表面态对碳纳米管场发射的影响
【摘 要】
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采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管，并应用二极管结构测试表面态（突出尖端和吸附）对碳纳米管场发射的影响。测试表明，突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流
【机 构】
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重庆大学数理学院应用物理系
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2011年4期
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