微细加工用光刻胶及其问题

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制造 I,LSI 等的半导体器件的微细加工技术是通过照相蚀刻法实现的,即采用紫外曝光和以光刻胶为掩蔽进行蚀刻的。为了制作集成度极高的超 LSI,所以必须提高微细加工的精密度。作为超微细加工的可能方法曾研究了电子束,X 射线和短波长紫外线的光刻法。 The microfabrication technique for fabricating semiconductor devices such as I and LSI is achieved by photolithography using UV exposure and etching with a photoresist as a mask. In order to make extremely integrated ultra LSI, it is necessary to improve the precision of micro-machining. As a possible method of ultrafine processing, photolithography of electron beams, X-rays and short-wavelength ultraviolet rays has been studied.
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