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自从1971年加州大学伯克利分校电子理论家蔡少棠教授提出忆阻器（又称“记忆电阻”，第四种电路元件）假设后，引起了材料科学家和固体物理学家的极大的研究兴趣。作为一种在计算机数据存储和神经运行领域具有广泛潜在应用价值的非线性动态电子器件，其影响可以追溯到发明电阻器、电容器、电感器之前。与生物大脑的神经突触类似，忆阻器兼具记忆和逻辑运算的功能。本文综述了近年来高分子忆阻材料的合成和生物神经突触模拟研究进展。利用不同的前、后突触刺激可以模拟神经突触展现的一些诸如短期/长期可塑性（STP/LTP）、尖峰时间相关的可