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采用锗－硅复合靶射反应溅射技术，制备了ＧｅＯ２含量ｘ＝０％－８１％的非晶ＧｅＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，用自动椭偏仪进行测量，得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ２的含量。用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ２含量的变化关系，并讨论了其结构特征。
非晶GeO2—SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱
【摘 要】
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采用锗－硅复合靶射反应溅射技术，制备了ＧｅＯ２含量ｘ＝０％－８１％的非晶ＧｅＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，用自动椭偏仪进行测量，得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ２的含量。用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ２含量的变化关
【机 构】
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武汉大学物理学系,山东师范大学物理学系
【出 处】
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武汉大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金!（19834070）,教育部重点科学技术项目
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