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用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变。ZnO薄膜的χmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质。ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变。弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小。