【摘 要】
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本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文
【机 构】
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河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所
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本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文章给出了提高器件抗中子辐照性能的设计思想及两种有效的手段,即提高器件的掺杂浓度和降低器件的高阻区宽度。文中还对比了几个加固与未加固器件的中子辐照结果。
This paper summarizes the damage mechanism of silicon high-voltage rectifiers under neutron irradiation. Through the physical analysis of the device, it is pointed out that the main cause of the device failure under the neutron irradiation is the decrease of the lifetime of the minority carriers, which leads to the increase of W / 2L and the increase of the bulk resistance R_n. The article gives the design idea of improving the anti-neutron irradiation performance of the device and two effective measures, that is, increasing the doping concentration of the device and reducing the width of the high resistance region of the device. The article also compares several neutron irradiation results with and without reinforcement devices.
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