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分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应，给出了ｐ型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比ｎｏ／ｎＴ的表达，主要结果表明在低注入条件下，浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响，而在高注入水平下，由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目，从而克服了这一低温陷阱效应，可以忽略。