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用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N（10 nm）/Zr（20 nm）双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800 ℃退火1 h。通过四探针电阻测试仪（FPP）、SEM、XRD和AES研究Cu/Ta-Si-N/Zr/Si系统在退火过程中的热稳定性。结果表明：沉积到Zr膜上的Ta-Si-N表面平坦，为典型的非晶态结构；Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品650 ℃以上退火后Zr原子扩散到Si中形成的ZrSi2能有效地降低Ta