【摘 要】
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中科院深圳先进技术院蔡林涛研究组借鉴带隙工程(Band Gap Engineering)的理论,通过同时调节量子点组分与结构,首先合成小粒径的CdTe内核材料,然后在其表面原位生长一层CdS,
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中科院深圳先进技术院蔡林涛研究组借鉴带隙工程(Band Gap Engineering)的理论,通过同时调节量子点组分与结构,首先合成小粒径的CdTe内核材料,然后在其表面原位生长一层CdS,并在包壳的过程中引入Cu2+离子,同时利用晶格应变及掺杂实现量子点波长和寿命的调节,发展了一种具有长寿命的近红外CdTe/CdS:Cu量子点。研究人员将这种量子点包裹在微珠
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