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研究了利用直流反应磁控溅射法，以Si—P（111）和Si—P（100）两种不同Si片做基底，对制备TiNx薄膜性能的影响。结果表明，以Si--p（111）为基底制备的TiNx薄膜性能优于Si--p（100）基底，表现在颗粒更细润，XRD衍射峰峰形更明锐且与TiNx的衍射峰不会重叠。因而，选用p--Si（111）做基底沉积氮化钛薄膜，可满足制备光学薄膜质量方面的要求。