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通过对Cu／Cu^2＋在TiW及硅中的扩散理论分析，从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0．38μm的PNP管β值的研究表明，80nm以上厚度的TiW合金层可以在AlCu／TiW／Si系统中作为Cu／Cu^2＋的扩散阻挡层。
TiW合金阻挡层对Cu／Cu^2＋扩散的阻挡能力研究
【摘 要】
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通过对Cu／Cu^2＋在TiW及硅中的扩散理论分析，从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0．38μm的PNP管β值的研究表明，80nm以上厚度的TiW合金层可以
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路国家级重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2009年4期
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