【摘 要】
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日立公司最近发表了标准存取时间43毫微秒的4K位CMOS静态RAM。这个RAM为了使CMOS存储器高速化,研制了使开关动作的栅从以前的5微米缩短到了3微米的CMOS技术,同时CMOS电路的
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日立公司最近发表了标准存取时间43毫微秒的4K位CMOS静态RAM。这个RAM为了使CMOS存储器高速化,研制了使开关动作的栅从以前的5微米缩短到了3微米的CMOS技术,同时CMOS电路的寄生电容降低的到1/2(与本公司制品比),因此把CMOS电路的动作速度成功的作到快二倍。而且,为了更进一
Hitachi recently released 4Kbit CMOS static RAM with a standard access time of 43 nanoseconds. In order to speed up the CMOS memory, this RAM has been developed to reduce the gate voltage of the switching operation from the previous 5 μm to 3 μm, and to reduce the parasitic capacitance of the CMOS circuit by a factor of 2 (compared to the Company’s product). The speed of the CMOS circuit to do twice as fast success. And, in order to go further
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