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采用微波等离子体化学气相沉积法，以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石（NCD）薄膜的生长过程掺硼，研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和硼原子浓度的影响．利用扫描电子显微镜和原子力显微镜观察NCD薄膜的表面形貌，并通过Imager软件对原子力显微镜数据进行分析获得薄膜的表面粗糙度及平均晶粒尺寸信息；采用四探针测量掺硼NCD薄膜的表面方块电阻，利用二次离子质谱仪对掺杂后NCD薄膜表面区域的硼原子浓度进行测量．实验结果表明，较高的基片温度有利于提高薄膜的导电能力，但随着基片温度的提