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仅考虑高频分支对极化子的贡献，研究了单模型三元混晶界面极化子的性质，既考虑了电子与体声子的耦合，又考虑了电子与两支界面光声子的耦合，我们计算了ＺｎＳｅｘＴｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＧａＡｓｘＳｂ１－ｘ（ＩｎＳｂ）两种材料里电子与声子相互作用，电子在强电场的信息处理上，界面光声子与电子的耦合加强，体光声子与电子的耦合在ｘ的某一点有一个极小值，两支界面光声子的耦合随ｘ的变化很小。