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提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构，并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念，设计的栅由S-gate和Dgate两块并列组成，S-gate用高功函数P型多晶硅材料，D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明，该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度，提高器件的跨导和截止频率；同时，还能够提高器件的击穿电压，并减小器件的热载流子效应。