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采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2．4％（原子分数）的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明，Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿结构。掺杂纳米线的室温光致发光光谱在409．2nm和498．0nm处出现了蓝绿光发光峰。探讨了其发光机制，认为前者可能来源于从导带到Zn空位形成的浅受主能级的跃迁以及从氧空位形成的浅施主能级到价带的跃迁；而后者来源于从氧空位形成的浅施主能级到锌空位浅受主能级的跃迁。