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,Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate
【机 构】
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Institute of Technology and Science,Tokushima University,Tokushima,770-8506,Japan“,”School of Electr
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
：
2016年8期
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