【摘 要】
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本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明
【机 构】
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南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,
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本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78eV;经过H2预处理,GaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿(111)方向择优生长,晶体质量较高。
In this work, a Ge film is epitaxially grown on a GaN / Al2O3 (0001) composite substrate by a chemical vapor deposition method using GeH4 as a reactive gas source and an InN / GaN / Al2O3 (0001) Growth mechanism was discussed. The results show that the polycrystalline Ge thin film is epitaxially grown directly under N2 atmosphere and the surface is relatively flat. The band gap width is 0.78eV by absorption spectrum. After H2 pretreatment, the metal In The deposited and epitaxial Ge films preferentially grow along the (111) direction with higher crystal quality.
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