【摘 要】
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采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征。测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流
【机 构】
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郑州航空工业管理学院数理系,西安交通大学电子与信息工程学院,中国工程物理研究院流体物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51072184 50972132), 航空科学基金资助项目(2009ZE55003), 河南省基础与前沿技术研究计划资助项目(092300410139)
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采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征。测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A。第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍。
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