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SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si0.75Ge0.25缓冲层。
氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底
【摘 要】
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SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、
【机 构】
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福建农林大学金山学院办公室,厦门市三安光电科技有限公司
【出 处】
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光谱实验室
【发表日期】
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2009年6期
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