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稀土离Ｅｒ注入多孔硅中，在３５０ＫｅＶ能量，１×１０＾１２～１×１０＾１５／ｃｍ＾２剂量范围内，注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射，退火后，在近红外区测到１．５４μｍ附近Ｅｒ＾３＋的特征发射，其发射强度比硅单晶对照样品明显增强，实验表明这增强作来源于多孔硅的表面发光层，电化学制备过程中的表面层中带入的Ｏ，Ｃ，Ｆ等多种上杂质可能是Ｅｒ＾３＋发光增强的原因。