高压LDMOS总剂量辐射效应研究

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：az137724907

【摘要】

：

在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDM

【作者】

：

王丹辉赵元富岳素格边强莫艳图

【机构】

：

北京微电子技术研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2015年10期

【关键词】

：

LDMOS 总剂量辐射环栅加固边缘漏电阈值电压漂移

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在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS的阈值电压漂移,以及N沟道直栅LDMOS的较大漏电流.同时也观察和记录到总剂量辐射导致P沟道直栅LDMOS的漏电.环栅加固方法能有效抑制总剂量辐射引起的N沟道直栅LDMOS的边缘漏电.在100krad（Si）辐照剂量时,N沟道环栅LDMOS和P沟道直栅LDMO

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