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GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学 输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论 与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究，以及对离子注入所产生的缺陷与深能 级的研究。
GaN中的缺陷与杂质
【摘 要】
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GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学 输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,香港大学物理系
【出 处】
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物理学进展
【发表日期】
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2001年1期
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