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研究了在透光性基底上直接光刻SU8光刻胶制作可实现光集成微流控芯片的工艺,讨论了基底厚度、透光性和样品承载台表面反射性等因素对透光性基底上SU8光刻图形质量的影响。研究结果表明,通过减少样品承载台表面对紫外光的反射,可有效的解决光刻胶内非定义曝光区域出现感光交联的问题。
微流控芯片透光性基底SU8曝光工艺
【摘 要】
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研究了在透光性基底上直接光刻SU8光刻胶制作可实现光集成微流控芯片的工艺,讨论了基底厚度、透光性和样品承载台表面反射性等因素对透光性基底上SU8光刻图形质量的影响。研
【机 构】
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中国科学技术大学精密机械仪器系,国家同步辐射实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2008年02期
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