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对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾，重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型：BSIM3、EKV和SP2001模型，对其各自的优缺点进行了比较。结果表明，获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的；几种模型中，EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。