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采用光荧光和阴极荧光方法，对GaN外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析；同时，采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷。结果表明，黄色和蓝色发光与残留杂质有关。采用第一原理计算结果显示，残留C、O杂质、本征缺陷等是黄色和蓝色的可能物理起源。采用原子边显微镜、扫描电镜、透射电镜及其能谱对GaN/AlGaN异质结中的纳米管进行观测，了解了纳米管的形貌。结果表明，构成纳米管的小面可能 外延过程中表面吸附引起的；计算结果显示，纳米管形貌变化与GaN/AlGaN界面处晶格失配应力有关。采用透射电镜观察外