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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子经面对面优化退火后,光致发光谱中观测到对应Er^3+第一激发态到基态,^4I13/2-^4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs增强10倍,且谱线变窄。从二次离子质谱和卢瑟福背散射实验退出退火前后的Er在GaAs;Erdisplay status