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采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大；不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大，择优取向为（111）方向；增大靶间距能够有效地提高薄膜厚度均匀性，75mm靶间距时，50mm×60mm及10mm×10mm范围内厚度均匀性分别优于7％和1％。