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本文用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳ＧａＡｓ：Ｃ．由于采用了较高衬底温度，ＧａＡｓ：Ｃ的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下，用铍、锌等常用ｐ型掺杂原子生长的ＧａＡｓ高；文中还分析了由于重掺碳引起的晶格收缩。
LPMOVPE生长GaAs：C薄膜
【摘 要】
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本文用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳ＧａＡｓ：Ｃ．由于采用了较高衬底温度，ＧａＡｓ：Ｃ的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下，用铍、锌等常用ｐ型掺杂原子生长的ＧａＡｓ高；文中还分析了由
【机 构】
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杭州大学物理系,MicroelectronicCentre.UMIST
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年6期
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