【摘 要】
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通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系,结果表明顶层厚度对器件光电
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通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出.优化设计后得到顶层厚度应该在49～98μm之间.最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过12.1%.
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