GaAs Power Devices

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:deadhorse
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The R D of Ga As power PHEMT s have been done in Nanjing Electronic DevicesInstitute in 2 0 0 0 .WC2 0 0 3high electron mobility power transistors and Ku- band 1 0 Wpower PHEMT have been completed.The WC2 0 0 3delivers greater than 2 .5W outputpower with The RD of Ga As power PHEMT s have been done in Nanjing Electronic Devices Institute in 2000. WC2 0 0 3high electron mobility power transistors and Ku band 1 0 Wpower PHEMT have been completed. The WC2 0 0 3delivers greater than 2. 5W outputpower with
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