【摘 要】
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I-V特性是光伏探测器最重要的表征手段之一。用电压扫描方式对光敏元尺寸为Φ 5 mm的InGaAs探测器进行I-V测试时,在负压方向电流出现了震荡现象。分析认为采样时电压处在变化
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划No.2012CB619200),国家自然基金(No.61475179)
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I-V特性是光伏探测器最重要的表征手段之一。用电压扫描方式对光敏元尺寸为Φ 5 mm的InGaAs探测器进行I-V测试时,在负压方向电流出现了震荡现象。分析认为采样时电压处在变化中,变化的电压会引起积累在P-N结空间电荷和扩散区电荷的改变,形成P-N结电容效应而导致。本文通过测试不同光敏元尺寸探测器的零偏电阻、暗电流和电容,讨论了光敏元尺寸对InGaAs探测器I-V特性测试的影响。结果表明:随着光敏元尺寸增大,探测器的零偏电阻减小,暗电流增大,电容增大。并分析了InGaAs探测器的P-N结电容效应及其对I
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