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通过化学腐蚀方法研究了LiTaO3（LT）晶片的化学机械抛光的化学腐蚀机理，研究了LiTaO3单晶的化学机械抛光过程腐蚀作用的主要影响因素及其影响规律，获得了LiTaO3晶片CMP过程有效的氧化剂和稳定剂。采用X衍射测量抛光表面的结构变化，分析了晶片表面在不同抛光液条件下发生的变化。研究结果为优化LiTaO3 CMP工艺参数，进一步探讨化学机械抛光机理提供了依据。