【摘 要】
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主要研究非晶硅太阳能电池中ZnO:B(BZO)导电膜的激光刻蚀工艺。以厚度为1.2 um的BZO导电膜为刻蚀对象,使用1064 nm红外激光进行刻蚀探讨。实验中通过改变激光电流、脉冲频率
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主要研究非晶硅太阳能电池中ZnO:B(BZO)导电膜的激光刻蚀工艺。以厚度为1.2 um的BZO导电膜为刻蚀对象,使用1064 nm红外激光进行刻蚀探讨。实验中通过改变激光电流、脉冲频率、刻蚀速率等参数进行对比实验。当激光刻蚀参数为:电流为35 A、脉冲频率为40 KHz、刻线速率为600 mm/s时,可以获得无导通连接点、无空洞、无烧蚀区域、宽度为35 um的较佳激光刻线。
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