Si(100)表面STM电子束光刻技术的研究

来源 :制造技术与机床 | 被引量 : 0次 | 上传用户:llsnow_2009
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论述了 S T M 电子束光刻技术的 机理与特点。利用 H Z N A N O—Ⅳ型 S T M 进 行了 Si( 100 ) 表 面光刻试验,详细探索了试验原理、方案和工艺步骤,并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度< 100n m 、宽度< 25 n m 的刻蚀线 The mechanism and characteristics of S T M electron beam lithography are discussed. Si (100) surface lithography was carried out by using HSTN A-N O-Ⅳ S T M, and the principle, scheme and process steps were explored in detail. The test results were also analyzed. In the atmosphere, the depth of <100n m, the width of <25 n m etching line
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