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设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构。并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈。同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔，减小了线圈的串联电阻和衬底损耗，提高了电感的Q值。设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1nH电感模型。使用HFSS软件对该电感模型进行仿真，结果表明。该电感在仿真频率为6．6GHz和10GHz时Q值分别达到了22．37和20.74，且自谐振频率大于20GHz。较传统的CMOS片上集成电感有明显改善；