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研究了Ti／Al／Ni／Au多层金属与GaN HEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关．在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s，获得了ρc为6．94×10^3Ω·cm^2的比接触电阻．光学显微镜观察表明，在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌．
GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究
【摘 要】
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研究了Ti／Al／Ni／Au多层金属与GaN HEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关．在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s，获得了ρc为6．94×10^3Ω·
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2006年2期
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