半绝缘GaAs半导体开关的传输特性研究

来源 :渭南师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yizhanghong
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通过实验及理论分析,对半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关的光电性能和传输特性进行了研究。在不同的偏置电压条件下,开关将输出两种不同模式的电脉冲并存在振荡效应,认为:导致输出电脉冲振荡效应的主要原因是光电导振荡现象;当外界光电条件一定,开关电极间隙越小,输出电脉冲上升时间越短,输出功率越大。为了提高开关的上升时间和输出功率,必须使光电导开关工作在饱和状态。
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