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由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用,使铁电薄膜的备成为研究热点。本文报道了利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向SrTiO3和重掺杂硅单上制备PbTiO3电薄膜的工作。通过X射线衍射、AFM和Raman光谱对薄膜的微结构进行分析,在SrBiO3衬底上获得了单畴多畴等几各 态,从实际上证实了铁电薄膜中的形成莫厚度有关;得到了铁电薄膜令痊面台阶生长的实验证据,对薄膜的晶格畸变,晶格