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由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用，使铁电薄膜的备成为研究热点。本文报道了利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单上制备ＰｂＴｉＯ３电薄膜的工作。通过Ｘ射线衍射、ＡＦＭ和Ｒａｍａｎ光谱对薄膜的微结构进行分析，在ＳｒＢｉＯ３衬底上获得了单畴多畴等几各 态，从实际上证实了铁电薄膜中的形成莫厚度有关；得到了铁电薄膜令痊面台阶生长的实验证据，对薄膜的晶格畸变，晶格