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在Si衬底上用脉冲激光沉积法生长C轴取向高度一致的ZnO纳米薄膜。实验制备ZnO纳米结构，其颗粒尺寸的控制是关键。通过改变衬底温度（400-700℃）和沉积时间，获得不同的ZnO纳米结构。SEM观察，在600℃时颗粒均匀且间隔明显，且该薄膜结构为不连续膜，这与其他衬底温度下所形成的薄膜结构有很大差异。XRD显示，600-700℃结晶良好。