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采用PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片S波段低噪声放大器。利用HP IC-CAP软件系统提取PHEMT管芯的EEHEMT1模型参数,并结合HP-EEsof Series IV软件的优化设计,及Cadence Layout版图设计,最终在76 mm的MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下,成功地应用于单片接收机前端中。