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金属膜电阻器用的靶材是影响膜质量和电阻器性能的重要因素之一，晶粒细化是炼制致密性靶材的关键。晶粒细化不仅有利于Cr-Si靶材内部组织均匀化，且能降低其韧脆转变温度，从而使炼制的靶材强度和硬度高、塑性好，提高靶材的成品率。分析了晶粒细化提高靶材综合性能的原因，并介绍了研究中所采用的Ti细化剂、磁力搅拌等晶粒细化措施。实验表明，在RJ24生产线上溅射的1MΩ金属膜电阻器具有较好的性能，且电阻温度系数均小于20×10^-6／℃。