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本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用.β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料.
透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展
【摘 要】
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本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在G
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2005年4期
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