【摘 要】
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采用座滴法研究反应烧结（Reaction bonded）SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,并研究Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明,元素Si对反应烧结（RB）SiC/Co-Si体系的润
【机 构】
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北京航空航天大学材料科学与工程学院,中南大学粉末冶金国家重点实验室
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采用座滴法研究反应烧结（Reaction bonded）SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,并研究Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明,元素Si对反应烧结（RB）SiC/Co-Si体系的润湿性有显著影响,当Co-Si钎料粉体中Si含量（质量分数）为6.7%和60%时,体系的最终润湿角都低于SiC/纯Co体系。SiC/Co-Si体系的润湿过程属于反应性润湿,随着温度升高,润湿角明显减小。微观结构研究和XRD相分析表明,对于SiC/Co-3Si体系（Co-3Si钎料中Si的质量分数为3%）
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