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介绍了研制WVP1N06硅N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺。
WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制
【摘 要】
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介绍了研制WVP1N06硅N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺。
【机 构】
：
国营八七七厂
【出 处】
：
现代电子技术
【发表日期】
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2002年9期
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