【摘 要】
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采用Zr-Si合金在较低温度下熔渗制备了不同密度的C/C-ZrC复合材料,研究了不同密度C/C多孔体的熔渗行为以及不同密度复合材料的相组成和微观形貌,并且在1500℃下对其静态氧化
【机 构】
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上海大学 微结构重点实验室,上海 200444上海大学 纳米科学与技术研究中心,上海 200444;上海大学 微结构重点实验室,上海,200444;上海大学 纳米科学与技术研究中心,上海,200444
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采用Zr-Si合金在较低温度下熔渗制备了不同密度的C/C-ZrC复合材料,研究了不同密度C/C多孔体的熔渗行为以及不同密度复合材料的相组成和微观形貌,并且在1500℃下对其静态氧化行为进行了研究.结果表明:中等密度多孔体熔渗较为理想,气孔率仅为4.78％.随着原材料密度的增加,C/C-ZrC复合材料密度增量相应下降.物相分析显示,C/C-ZrC复合材料由C,ZrC,Zr和Zr2Si组成,未发现SiC相的存在.微观结构解析表明,反应生成的ZrC陶瓷相主要集中在网胎层,合金除与C基体反应生成ZrC层外,在熔体内部也有部分ZrC析出.论文从界面反应以及元素扩散的角度探讨了熔渗机理.C/C-ZrC复合材料在1500℃静态氧化后的产物主要包括单斜相ZrO2和非晶态SiO2,未能形成致密氧化膜,改性后的样品失重率随着熔渗增重增大而减小.
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