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基于磁流体的折射率可随外磁场的变化而变化，提出利用传统的电介质材料和磁流体构成含缺陷的光子晶体结构来实现磁场传感。光子晶体缺陷层可以是传统的电介质，也可以是磁流体。利用传输矩阵法比较研究了两种情况下的磁场传感特性。计算结果表明，两种结构的缺陷模特性随光子晶体结构参数的变化规律基本相同，但以磁流体为缺陷层的缺陷光子晶体结构具有相对较高的探测灵敏度。研究结果为实际磁场传感器的设计、制备提供了参考。