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本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近 ,因而得到了更加精确可信的材料结构参数。
一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文)
【摘 要】
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本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表
【机 构】
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清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,集成光电子学国家重点实验室北京100084
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年S1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 ( 6 95 2 5 40 7,6 9896 2 6 0 ) ,科技部基础研究重点项目 (G2 0 0 0 0 36 6 0 1) ,86 3高技术项目 ( 86 3 30 7 11 3( 0 2 ) )~~
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