【摘 要】
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毫米波HEMT晶体管(高电子迁移率晶体管High Electron Mobility Tran-sistor),以及最近出现的假晶HEMT管(Pseudomorphic HEMT),因其噪声低,高的截止工作频率,以及较高的互导率
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毫米波HEMT晶体管(高电子迁移率晶体管High Electron Mobility Tran-sistor),以及最近出现的假晶HEMT管(Pseudomorphic HEMT),因其噪声低,高的截止工作频率,以及较高的互导率而备受重视.该器件是八十年代先进的航天、毫米波雷达、电子对抗、空间通信等设备上的关键元件.本文介绍其工作原理、制备方法及有关的电路应用.
The millimeter-wave HEMT transistors (High Electron Mobility Tranistor), and the recent emergence of pseudomorphic HEMTs (Pseudomorphic HEMTs), due to their low noise, high cut-off operating frequency and high mutual conductivity This device is a key component of the advanced aerospace, millimeter wave radar, electronic warfare, space communications and other equipment in the 1980s.This paper introduces its working principle, preparation method and related circuit applications.
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