共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3（Al，Ga）5O12粉体

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qq978458283

【摘要】

：

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水，共沉淀生成Ce掺杂的Gd3（Al，Ga）5O12（GAGG）前驱体，并采用TG／DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100

【作者】

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张烨陈先强秦海明罗朝华蒋俊江浩川

【机构】

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中国科学院宁波材料技术与工程研究所,中国科学院大学

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2016年10期

【关键词】

：

Gd3(Al Ga)5O12陶瓷共沉淀煅烧无机闪烁体 Gd3（A1 Ga）5O12 ceramic co-precipitation calcinat

【基金项目】

：

National Natural Science Foundation of China （51502308, 51402317, 11404351）, Ningbo Science and Technology InnovationTeam （2014B82004）

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通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水，共沉淀生成Ce掺杂的Gd3（Al，Ga）5O12（GAGG）前驱体，并采用TG／DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理，采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征，结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明

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